Планар (КБТЭМ)
 
ЭМ-2085В Установка разделения сверхтонких пластин
Установка разделения сверхтонких пластин ЭМ­-2085В предназначена для прецизионного надрезания или сквозного разрезания полупроводниковых пластин и керамических подложек диаметром до 200 мм, закрепленных липкой пленкой на металлических или пластмассовых рамках. Максимальная толщина обрабатываемых пластин 5 мм (опционально до 20 мм).

Загрузка спутника с подложкой осуществляется в установку вручную, поиск скрайберной дорожки (реперных меток), выравнивание подложки проводится автоматически системой машинного зрения, после окончания реза подложки по одной из плоскостей она автоматически поворачивается на нужный угол для продолжения операции разделения.

Установка ЭМ­2085В позволяет определять диаметр алмазного диска перед выполнением операции разделения каждой подложки, что позволяет всегда гарантировать качественный пропил. Установка рассчитана для использования корпусных алмазных дисков типа ДАР с наружным диаметром 56 мм производства ОАО "Планар" или бескорпусных режущих алмазных дисков с наружным диаметром до 76 мм.

Установка может быть запрограммирована на резку подложек на кристаллы как прямоугольной формы, так и на шестигранники и восьмигранники. Возможно сквозное разрезание стержней и капилляров с наружным диаметром до 5 мм (опционально до 10 мм).


КОНСТРУКТИВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ

1. Шпиндель на аэростатических опорах.
2. Обратная связь по координатам XYZF (линейные энкодеры по координатам YZ, угловые энкодеры по координатам XF).
3. Жесткая портальная конструкция.
4. Рабочая подача осуществляется приводом постоянного тока.
5. Использование корпусных алмазных дисков типа ДАР с наружным диаметром 56 мм производства ОАО "Планар" или бескорпусных режущих алмазных дисков с наружным диаметром до 76 мм.
 


УСТАНОВКА РЕШАЕТ СЛЕДУЮЩИЕ ЗАДАЧИ

1. Надрезание и сквозное разделение пластин и подложек на кристаллы, как прямоугольной формы, так и на шестигранники и восьмигранники.
2. Сквозное разрезание стержней и капилляров.
3. Сквозное разрезание светодиодных матриц.

 


ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Диаметр полупроводниковых пластин, мм (max)200
Толщина обрабатываемых пластин, мм200...5000
Мощность электрошпинделя, кВт1.2
Регулируемая скорость вращения шпинделя, об/мин10000 ... 60000
Диапазон регулирования рабочей подачи, мм/с0.1 ... 200
Дискретность регулирования рабочей подачи, мм/с 0.1
Накопленная погрешность шаговых перемещений на длине 210 мм, мм, не более0.005
Электропитание, В/Гц/Вт230/50/2000
Габаритные размеры, мм970×950×1400
Масса, кг500