Планар (КБТЭМ)
 
ЭМ-6070А Аналитическая субмикронная установка зондового контроля

Аналитическая субмикронная установка зондового контроля ЭМ-6070А предназначена для проведения вольт-амперных, вольт-фарадных и высокочастотных исследований полупроводниковых структур, расположенных в составе интегральных, гибридных микросхем и полосковых печатных плат.

Установка оптимизирована для работы с полупроводниковыми пластинами диаметром до 200 мм толщиной до 3 мм и прямоугольными подложками размером до 150x150 мм толщиной до 3 мм.

Установка зондового контроля ЭМ-6070А позволяет осуществлять:
- электрический контакт цепей измерителя (поставляется отдельно) с металлизированными элементами и шинами топологии интегральной схемы или полосковой печатной платы;
- электрическую локализацию отдельных элементов топологии во время электрических исследований внутренних блоков ИС;
- исследования электрических параметров при нормальных и повышенных температурах (до +150°С);
- визуальные наблюдения топологических структур (с увеличением до 2000x, рабочий отрезок объектива более 15 мм).


УСТАНОВКА РЕШАЕТ СЛЕДУЮЩИЕ ЗАДАЧИ
● Позволяет подвести (снять) электрические потенциалы (сигналы) к отдельным элементам (узлам) микросхемы, локально провести исследование (тестирование) их функционирования, снять вольт-амперные, вольт-фарадные характеристики или провести исследования в радиочастотном диапазоне.
● Локализовать отдельные элементы микросхемы путем перерезания электрических дорожек в верхнем слое металлизации.
● Рассмотреть отдельные компоненты (элементы) микросхемы под микроскопом с большим увеличением не перемещая образец на другую установку.
● Производить исследование соседних кристаллов, без нарушения целостности расположения микрозондов, путем фиксированного, строго вертикального, перемещения образца по Z.

Большой рабочий отрезок объективов позволяет производить исследования интегральным микросхем не только на подложках, но и в корпусированных изделиях без демонтажа кристалла.

 

В установке ЭМ-6070А реализованы новейшие и прогрессивные достижения из нескольких областей современных технологий: перемещение микроманипуляторов по оси Х, Y, Z независимое, это позволяет точно без лишних движений совмещать зонд с местом контакта.
Применены локальные виброопоры, предотвращающие передачу вибрации от рабочего стола к микроманипуляторам

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
 
Диаметр полупроводниковых пластин, мм (max) 200
Максимальный размер прямоугольных подложек 150х150
Минимальный размер контактируемого элемента, мкм 0.5
Крепление микроманипулятора к платформе постоянный магнит
Перемещение микроманипулятора по координатам XYZ, мм 10
Чувствительность прецизионных микрометрические винтов, мкм/об 250±10
Перемещение столика с образцом
● по координате X, мм, не менее 200
● по координате Y, мм, не менее 200
● по координате F, град ±10
Перемещение столика с образцом по координате Z, мм, не менее 20
Фиксированное перемещение столика с образцом по координате Z, мм, не менее 0.4
Перемещения микроскопа по координатам XYZ , мм, не менее 20
Привод микроскопа обеспечивает диапазон перемещения, мм 50
Увеличение микроскопа 20×...2000×
Рабочий отрезок:
● 50×...100×, мм 34
● 200×...400×, мм 20
● 500×...1000×, мм 20.5
● 1000×...2000×, мм (опционально) 13
Электропитание, В/Гц/Вт 230/50/800
Габаритные размеры, мм 800×700×750
Масса, кг 140