|
CCD степпер ЭМ-5634 предназначен для выполнения фотолитографии в производстве интегральных микросхем с большой площадью кристалла.
| ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
|
| Диаметр пластин, мм | 100; 150 | | Размер фотошаблона, мм | 152x152 (6"х6") | | Фотолитографическое разрешение (L/S), мкм | 1 | | Глубина резкости, мкм | 6 | | Рабочее поле, мм | 50x50,100x35 | | Масштаб проекционного переноса | 1:1 | | Диапазон автоматического изменения масштаба, ррm | ±20 | | Дисторсия объектива, не более,мкм | ±0.3 | | Длина волны, нм | 365 (i-линия) | | Мощность ртутной лампы, кВт | 5 | | Мощности экспонирующего излучения, мВ/см2 | 140 | | Неравномерность освещения, % | ±3 | | Погрешность отработки дозы экспозиции, % | ±1.5 | | Погрешности совмещения слоев (3σ), мкм | ±0.2 | | Потребляемая мощность, не более, кВт | 6.5 |
|
|
Планар (КБТЭМ)