Планар (КБТЭМ)
 
ЭМ-6439 Установка контроля размеров субмикронных структур

 

EМ-6439 Установка контроля размеров субмикронных структур


Установка ЭМ-6439 – это высокопроизводительная измерительная система, предназначенная для автоматического контроля топологических размеров в технологических слоях на полупроводниковых пластинах, MEMS структурах, СВЧ платах и других микроэлектронных изделиях, для которых требуются полностью автоматический контроль или инженерные исследования.


УСТАНОВКА ПОЗВОЛЯЕТ РЕШАТЬ НЕСКОЛЬКО ЗАДАЧ:
  • Контролировать критические размеры в технологических процессах (ТП) с топологической нормой до 0.5 мкм;
  • Контролировать совмещение топологических слоёв в ТП с топологической нормой до 0.18 мкм;
  • Наблюдать и регистрировать топологический рисунок слоя в монохромном свете с аппаратным увеличением до 5000 крат
    или в цветной палитре с увеличением до 200 крат.

ОСОБЕННОСТИ УСТАНОВКИ:
  • Применение светодиодов;
  • Жесткая конструкция штатива из гранитных элементов;
  • Телецентрическая оптика;
  • Использование двух методов автофокусировки: аппаратный оптический и программный;
  • Использование SMIF контейнера;
  • Роботизация загрузки-выгрузки;
  • Использование информационных технологий;
  • Осуществление калибровки путём измерений аттестованных размеров на тест – шаблоне.

ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ УДОБСТВА РАБОТЫ И УВЕЛИЧЕНИЯ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ В УСТАНОВКЕ АВТОМАТИЗИРОВАН РЯД ОПЕРАЦИЙ:
  • Контроль размеров топологических структур.
  • Выход в зону расположения контролируемой структуры.
  • Регулирование интенсивности света.
  • Автофокусировка.
  • Горизонтальное и вертикальное перемещение образца.
  • Изменение увеличения (смена объектива).
  • Загрузка - выгрузка.
  • Статистическая обработка данных контроля.

 

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Диапазон контроля размеров, мкм 0.5 ... 30
Диапазон оценки размера, мкм0.35 ... 50
Повторяемость результата в диапазоне контроля (3σ), нм6
Диаметры контролируемых пластин, мм100; 150; 200
Ход координатного стола для X и Y, мм200х200
Производительность контроля, не менее, пластин/час70
Потребляемая мощность КУ, не более, Вт800
Габариты ОМУ, Ш×Г×В, мм1000х1240х1300
Вес ОМУ, кг600
 

Оборудование для формирования и контроля топологических структур на полупроводниковых пластинах

Оборудование для непосредственного генерирования изображений на полупроводниковые пластины
Оборудование для проекционного переноса изображений на полупроводниковые пластины
Оборудование контактного переноса изображений на подложки и для организации двусторонней литографии
Широкоформатные степперы
Оборудование для контроля полупроводниковых пластин
Контейнеры для хранения фотошаблонов