|
ЭМ-6429 Установка автоматического микроконтроля |
|
Контроль полупроводниковых пластин производится
методом сравнения изображений соседних кристаллов (die-to-die или
cell-to-cell) в технологических слоях (фоторезист, металл, поликремний,
нитрид, окисел и кремний) с целью обнаружения локальных дефектов,
обусловленных наличием посторонних частиц (пыль, остатки резиста),
нарушения целостности технологических слоев (царапины), искажений
топологического рисунка (вырывы или выступы на краях элементов, разрывы
элементов, перемычки).
Контроль производится в отраженном свете при светлопольном или темнопольном освещении пластины в широком спектре.
| ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
|
| | ЭМ-6429 | ЭМ-6429-01 | | Размер минимального обнаруживаемого дефекта, мкм | 0.25 | 0.18 | | Диаметр контролируемых пластин, мм | 100, 150 | 150, 200
(опция 100) | | Производительность контроля, мм2/с | 15 | 10 | | Дискретность перемещения координатного стола, нм | 5 | | Потребляемая мощность, не более, кВт | 1.5 |
|
|
Планар (КБТЭМ)