«КБТЭМ-ОМО»
ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО
 
ЭМ-6429 Установка автоматического микроконтроля

 

ЭМ-6429-01 Установка автоматического контроля микродефектов на пластинах с топологией

Контроль полупроводниковых пластин производится методом сравнения изображений соседних кристаллов (die-to-die или cell-to-cell) в технологических слоях (фоторезист, металл, поликремний, нитрид, окисел и кремний) с целью обнаружения локальных дефектов, обусловленных наличием посторонних частиц (пыль, остатки резиста), нарушения целостности технологических слоев (царапины), искажений топологического рисунка (вырывы или выступы на краях элементов, разрывы элементов, перемычки).

Контроль производится в отраженном свете при светлопольном или темнопольном освещении пластины в широком спектре. 

 

Технические характеристики установки 

  ЭМ-6429 ЭМ-6429-01
Размер минимального обнаруживаемого дефекта, мкм 0.25 0.15
Диаметр контролируемых пластин, мм 100, 150 200
(опция 100,150)
Производительность контроля, мм2 15 10
Дискретность перемещения координатного стола, нм 5
Потребляемая мощность, не более, кВт 1.5

 

 

Оборудование для формирования и контроля топологических структур на полупроводниковых пластинах

Оборудование для непосредственного генерирования изображений на полупроводниковые пластины
Оборудование для проекционного переноса изображений на полупроводниковые пластины
Оборудование контактного переноса изображений на подложки и для организации двусторонней литографии
Широкоформатные степперы
Оборудование для контроля полупроводниковых пластин
Приглашаем посетить
наш стенд на выставке
 
Shanghai New International
Expo Centre
Шанхай, КНР
20-22 Марта, 2019
Add to My Expo Plan
Register Now