Планар (КБТЭМ)
 
ЭМ-6429 Установка автоматического микроконтроля

 

ЭМ-6429-01 Установка автоматического контроля микродефектов на пластинах с топологией

Контроль полупроводниковых пластин производится методом сравнения изображений соседних кристаллов (die-to-die или cell-to-cell) в технологических слоях (фоторезист, металл, поликремний, нитрид, окисел и кремний) с целью обнаружения локальных дефектов, обусловленных наличием посторонних частиц (пыль, остатки резиста), нарушения целостности технологических слоев (царапины), искажений топологического рисунка (вырывы или выступы на краях элементов, разрывы элементов, перемычки).

Контроль производится в отраженном свете при светлопольном или темнопольном освещении пластины в широком спектре.

 


ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 ЭМ-6429ЭМ-6429-01
Размер минимального обнаруживаемого дефекта, мкм0.250.18
Диаметр контролируемых пластин, мм100, 150150, 200
(опция 100)
Производительность контроля, мм21510
Дискретность перемещения координатного стола, нм5
Потребляемая мощность, не более, кВт1.5
 

Оборудование для формирования и контроля топологических структур на полупроводниковых пластинах

Оборудование для непосредственного генерирования изображений на полупроводниковые пластины
Оборудование для проекционного переноса изображений на полупроводниковые пластины
Оборудование контактного переноса изображений на подложки и для организации двусторонней литографии
Широкоформатные степперы
Оборудование для контроля полупроводниковых пластин
Контейнеры для хранения фотошаблонов