«КБТЭМ-ОМО»
ОТКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО
 
ЭМ-6429 Установка автоматического контроля микродефектов на пластинах с топологией

 

ЭМ-6429 Установка автоматического контроля микродефектов на пластинах с топологией

Контроль полупроводниковых пластин производится методом сравнения изображений соседних кристаллов (die-to-die или cell-to-cell) в технологических слоях (фоторезист, металл, поликремний, нитрид, окисел и кремний) с целью обнаружения локальных дефектов, обусловленных наличием посторонних частиц (пыль, остатки резиста), нарушения целостности технологических слоев (царапины), искажений топологического рисунка (вырывы или выступы на краях элементов, разрывы элементов, перемычки).

Контроль производится в отраженном свете при светлопольном или темнопольном освещении пластины в широком спектре. 

 

Технические характеристики установки 

  ЭМ-6429 ЭМ-6429Б
Размер минимального обнаруживаемого дефекта, мкм 0.25 0.15
Диаметр контролируемых пластин, мм 100, 150 200, 300
Производительность контроля при пороге 0.25 мкм, мм2 10
Производительность контроля при пороге 0,5 мкм, мм2 20
Дискретность перемещения координатного стола, нм 5
Потребляемая мощность, не более, кВт 1.5


Более подробная информация доступна только для
зарегистрированных пользователей

 

 

Оборудование для формирования и контроля топологических структур на полупроводниковых пластинах

Оборудование для непосредственного генерирования изображений на полупроводниковые пластины
Оборудование для проекционного переноса изображений на полупроводниковые пластины
Оборудование контактного переноса изображений на подложки и для организации двусторонней литографии
Широкоформатные степперы
Оборудование для контроля полупроводниковых пластин

KBTEM-OMO year og science