|
 Установка ЭМ-6479М предназначена для контроля частиц на поверхности полупроводниковых пластин без топологического рисунка.
Принцип действия установки ЭМ-6479М основан на измерении интенсивности света, рассеянного дефектами (частицами) расположенными на поверхности полупроводниковой пластины, освещённой сфокусированным лучом лазера.
Конструкция установки обеспечивает автоматическую загрузку/выгрузку кремниевых пластин из кассеты на позицию контроля, сканирование поверхности пластины лучом лазера. Просканированные пластины выгружаются в туже кассету, из которой загружались.
Контроль поверхности осуществляется спиральным сканированием пластины лучом лазера относительно неподвижного оптического блока.
Установка работает в двух режимах: автоматическом и исследовательском. Исследовательский режим отличается от автоматического тем, что оператор для каждой пластины задаёт свои параметры сканирования, в то время, как в автоматическом режиме все пластины, находящиеся в кассете, проходят контроль с одинаковыми, заранее установленными параметрами сканирования. Сортировка пластин осуществляется по заданным предельным значениям количества частиц с определенной величиной интенсивности рассеянного света, плотности распределения частиц, площади пятен (поверхностных загрязнений) и средней "матовости".
Для каждого из режимов можно выбрать один из 25 стандартных наборов параметров, включающих в себя геометрические параметры, порядок выборки пластин из кассеты, параметры сортировки и др., отредактировать его или создать новый.
| ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
|
| Минимальный размер обнаруживаемого установкой дефекта, мкм, не более | 0.15 | | Вероятность обнаружения дефекта с минимальными размерами | 0.95 | | Производительность при контроле пластин диаметром 150 мм, пластин/ч | 100* | | Диаметр контролируемых пластин, мм | 100; 150; 200 | | Потребляемая мощность, не более, Вт | 700 | | Габаритные размеры, мм | 700х800х1300 | | Масса, кг | 220 | | * - без учёта времени на замену кассет и времени вывода информации |
|
|
Планар (КБТЭМ)