
Установка предназначена для контроля
интерферометрическим методом отклонений плоскостности рабочей
поверхности полированных полупроводниковых пластин.
Отклонение плоскостности описывается набором
глобальных параметров - GF3D, GF3R, GFLD, GFLR, GBID, GBIR, BOW, SORI,
локальных параметров - SFLR, SFLD, SF3R, SF3D, отвечающим стандартам
SEMI.
Установка работает в автоматическом режиме, в режиме
сплошной сортировки на три сорта и в исследовательском режиме с выводом
на монитор или принтер информации о форме поверхности пластины (карта
высот в модулях, карта сортности модулей, поперечное сечение рельефа
поверхности пластины в любом заданном направлении и 3D изображение
рельефа поверхности и т.п.).
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
|
Диаметр контролируемых пластин, мм | 100; 150; 200 | Погрешность контроля глобальных параметров в свободном состоянии (BOW-прогиб, SORI- коробление), мкм | ±2.5 | Погрешность контроля глобальных параметров (GFLR, GFLD. GF3R. GF3D, GBID, GBIR), мкм | ±0.1 | Погрешность контроля локальных параметров (SFLR, SFLD, SF3R, SF3D), мкм | ±0.05 | Диапазон контроля толщины, мкм | 300 ... 800 | Погрешность контроля толщины, мкм | ±2.0 | Производительность контроля, пл/час | 80 |
|
|