Планар (КБТЭМ)
 
ЭМ-6419 Установка контроля отклонений плоскостности полупроводниковых пластин

 

ЭМ-6419 Установка контроля отклонений плоскостности полупроводниковых пластин

 

Установка предназначена для контроля интерферометрическим методом отклонений плоскостности рабочей поверхности полированных полупроводниковых пластин.

Отклонение плоскостности описывается набором глобальных параметров - GF3D, GF3R, GFLD, GFLR, GBID, GBIR, BOW, SORI, локальных параметров - SFLR, SFLD, SF3R, SF3D, отвечающим стандартам SEMI.

Установка работает в автоматическом режиме, в режиме сплошной сортировки на три сорта и в исследовательском режиме с выводом на монитор или принтер информации о форме поверхности пластины (карта высот в модулях, карта сортности модулей, поперечное сечение рельефа поверхности пластины в любом заданном направлении и 3D изображение рельефа поверхности и т.п.).


ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Диаметр контролируемых пластин, мм100; 150; 200
Погрешность контроля глобальных параметров в свободном состоянии (BOW-прогиб, SORI- коробление), мкм±2.5
Погрешность контроля глобальных параметров (GFLR, GFLD. GF3R. GF3D, GBID, GBIR), мкм±0.1
Погрешность контроля локальных параметров (SFLR, SFLD, SF3R, SF3D), мкм±0.05
Диапазон контроля толщины, мкм 300 ... 800
Погрешность контроля толщины, мкм ±2.0
Производительность контроля, пл/час80
 

Оборудование для формирования и контроля топологических структур на полупроводниковых пластинах

Оборудование для непосредственного генерирования изображений на полупроводниковые пластины
Оборудование для проекционного переноса изображений на полупроводниковые пластины
Оборудование контактного переноса изображений на подложки и для организации двусторонней литографии
Широкоформатные степперы
Оборудование для контроля полупроводниковых пластин
Контейнеры для хранения фотошаблонов