Планар (КБТЭМ)
 
ЭМ-5026B Установка совмещения и экспонирования

 ЭМ-5026Б Установка двухстороннего совмещения и экспонирования

Установка ЭМ-5026B выполняет контактным (в зазоре) способом экспонирование верхней стороны полупроводниковой пластины или подложки, совмещая изображение на фотошаблоне с изображением на нижней (обратной) стороне пластины или подложки.

УСТАНОВКА ЭМ-5026B ИМЕЕТ АВТОМАТИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ:

- высокоточной предварительной ориентации;
- загрузки пластин на рабочий столик и выгрузки с него;
- компенсации клина и разнотолщинности пластин без контакта с фотошаблоном;
- выхода на заданный оператором зазор совмещения;
- экспонирования фоторезистивного слоя на пластинах;
- режим энергосбережения.

Загрузка/выгрузка пластин - полуавтоматическая. 

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
 
Диапазоны рабочих длин волн*, нм225-260; 280-335; 350-450
Фотолитографическое разрешение, мкм0.4 ... 1.0
Неравномерность освещенности рабочего поля диаметром 110 мм, %±2.5
Случайная составляющая погрешности совмещения: 
- при совмещении по лицевой стороне, мкм±0.2
- при совмещении по знакам на обратной стороне пластины, мкм±1
Диаметр обрабатываемых пластин*, мм40; 50; 60; 76; 100
Размер фотошаблонов*, мм76х76; 102х102;
127х127
Чувствительность привода манипулятора совмещения:
- по X, Y, мкм
- по углу, секунд

0.01
0.1
Перемещение микроскопа приводами:
- по X, мм
- по Y, мм

±40
±5
Потребляемая мощность, не более, Вт800
* Уточняется при заказе
Установка может использоваться для оценки точности совмещения нанесенных на двух сторонах непрозрачной пластины (подложки) знаков совмещения (топологий).
Одновременный вывод изображения с микроскопа на экран монитора и в окуляры.