|
ЭМ-2085В Установка разделения сверхтонких пластин |
 Установка разделения сверхтонких пластин ЭМ-2085В предназначена для прецизионного надрезания или сквозного разрезания полупроводниковых пластин и керамических подложек диаметром до 200 мм, закрепленных липкой пленкой на металлических или пластмассовых рамках. Максимальная толщина обрабатываемых пластин 5 мм (опционально до 20 мм).
Загрузка спутника с подложкой осуществляется в установку вручную, поиск скрайберной дорожки (реперных меток), выравнивание подложки проводится автоматически системой машинного зрения, после окончания реза подложки по одной из плоскостей она автоматически поворачивается на нужный угол для продолжения операции разделения.
Установка ЭМ2085В позволяет определять диаметр алмазного диска перед выполнением операции разделения каждой подложки, что позволяет всегда гарантировать качественный пропил. Установка рассчитана для использования корпусных алмазных дисков типа ДАР с наружным диаметром 56 мм производства ОАО "Планар" или бескорпусных режущих алмазных дисков с наружным диаметром до 76 мм.
Установка может быть запрограммирована на резку подложек на кристаллы как прямоугольной формы, так и на шестигранники и восьмигранники. Возможно сквозное разрезание стержней и капилляров с наружным диаметром до 5 мм (опционально до 10 мм).
| КОНСТРУКТИВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ |
|
1. Шпиндель на аэростатических опорах.
2. Обратная связь по координатам XYZF (линейные энкодеры по координатам YZ, угловые энкодеры по координатам XF).
3. Жесткая портальная конструкция.
4. Рабочая подача осуществляется приводом постоянного тока.
5. Использование корпусных алмазных дисков типа ДАР с наружным диаметром 56 мм производства ОАО "Планар" или бескорпусных режущих алмазных дисков с наружным диаметром до 76 мм.
| УСТАНОВКА РЕШАЕТ СЛЕДУЮЩИЕ ЗАДАЧИ |
|
1. Надрезание и сквозное разделение пластин и подложек на кристаллы, как прямоугольной формы, так и на шестигранники и восьмигранники.
2. Сквозное разрезание стержней и капилляров.
3. Сквозное разрезание светодиодных матриц.
| ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
|
| Диаметр полупроводниковых пластин, мм (max) | 200 | | Толщина обрабатываемых пластин, мм | 200...5000 | | Мощность электрошпинделя, кВт | 1.2 | | Регулируемая скорость вращения шпинделя, об/мин | 10000 ... 60000 | | Диапазон регулирования рабочей подачи, мм/с | 0.1 ... 200 | | Дискретность регулирования рабочей подачи, мм/с | 0.1 | | Накопленная погрешность шаговых перемещений на длине 210 мм, мм, не более | 0.005 | | Электропитание, В/Гц/Вт | 230/50/2000 | | Габаритные размеры, мм | 970×950×1400 | | Масса, кг | 500 |
|
|
Планар (КБТЭМ)