ЭМ-5884 Проекционная фотомонтажная установка для экспонирования полупроводниковых пластин |

Установка ЭМ-5884 предназначена для проекционного переноса изображения фотошаблона на полупроводниковую пластину и мультипликации его на пластине при изготовлении СБИС с проектными нормами 0.35мкм. Источник излучения - твердотельный лазер.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
|
Рабочая длина волны, нм | 354.7 | Масштаб изображения | 1:5 | Числовая апертура | 0.45-0.6 | Размер поля изображения, X x Y, мм | 22 х 22 | Размер минимального элемента по полю изображения, мкм | 0.35 | Диаметр обрабатываемых пластин, мм | 150 или 200 | Размеры фотошаблонов, мм | 153 х 153 х 6,3 | Высота рамки пелликлов на фотошаблонах, не более, мм | 6.0 |
|
|