|
ЭМ-5884 Проекционная фотомонтажная установка для экспонирования полупроводниковых пластин |
|
Установка ЭМ-5884 предназначена для проекционного переноса изображения фотошаблона на полупроводниковую пластину и мультипликации его на пластине при изготовлении СБИС с проектными нормами 0.35мкм. Источник излучения - твердотельный лазер.
| ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
|
| Рабочая длина волны, нм | 354.7 | | Масштаб изображения | 1:5 | | Числовая апертура | 0.45-0.6 | | Размер поля изображения, X x Y, мм | 22 х 22 | | Размер минимального элемента по полю изображения, мкм | 0.35 | | Диаметр обрабатываемых пластин, мм | 150 или 200 | | Размеры фотошаблонов, мм | 153 х 153 х 6,3 | | Высота рамки пелликлов на фотошаблонах, не более, мм | 6.0 |
|
|
Планар (КБТЭМ)