|
Генератор предназначен для изготовления металлизированных фотошаблонов при производстве интегральных схем, полупроводниковых приборов, гибридных схем, фотоэлектрических преобразователей, ЖК-индикаторов, прецизионных печатных плат, фотошаблонов ГИС, специальных измерительных и тестовых шаблонов как в производственных, так и в научно-исследовательских и учебных целях.
Изображение формируется по принципу микрофотонабора. Размер элемента 1 мкм на большом рабочем поле 300х300 мм.
Установка оснащена системой совмещения.
В системе экспонирования генератора используется моноблочный импульсный лазер на молекулярном азоте с длиной волны 337 нм, длительностью светового импульса 6...8 нс и рабочей частотой до 1кГц.
Мощность лазера 240 мВт.
Генератор предназначен для изготовления
металлизированных фотошаблонов при производстве интегральных схем,
полупроводниковых приборов, гибридных схем, фотоэлектрических
преобразователей, ЖК-индикаторов, прецизионных печатных плат,
фотошаблонов ГИС, специальных измерительных и тестовых шаблонов как в
производственных, так и в научно-исследовательских и учебных целях.
Изображение формируется по принципу микрофотонабора. Размер элемента 1 мкм на большом рабочем поле 300х300 мм.
Установка оснащена системой совмещения.
В системе экспонирования генератора используется
моноблочный импульсный лазер на молекулярном азоте с длиной волны 337
нм, длительностью светового импульса 6...8 нс и рабочей частотой до
1кГц.
Мощность лазера 240 мВт.
| ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
|
| Размеры наборного элемента, мкм | 1 ... 300 | | Производительность (на регулярных структурах), млн. эксп./ч | 1.7 | | Размер поля экспонирования, мм | 300х300 | | Дискретность перемещений координатного стола, нм | 50 | | Погрешность позиционирования координатного стола, нм | ±150 | | Дискретность изменения размеров наборного элемента, нм | 100 | | Угол поворота наборного элемента, ° | 0 ... 90 | | Дискретность изменения угла поворота, ° | 0.025 | | Потребляемая мощность, не более, кВт | 3 |
|
Планар (КБТЭМ)
