|
ЭМ-5209 Лазерная установка многоцелевого назначения для формирования микроизображений |
|
Установка предназначена для изготовления металлизированных промежуточных фотооригиналов, используемых в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем различного назначения, фотоэлектронных преобразователей, ЖК-индикаторов и экранов, специальных измерительных и тестовых шаблонов как в производстве, так и в научно-исследовательских целях.
| ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
|
| Размер максимального поля экспонирования, мм | 275х275 | | Погрешность позиционирования,не более, мкм | ±0.15 | | Размеры наборных элементов, мкм | 0.5 ... 275 | | Погрешность размеров наборных элементов, не более, мкм | ±0.15 | | Несовпадение геометрического центра наборного элемента с осью вращения, не более, мкм |
0.5 | | Неровность края элемента, не более, мкм | 0.15 | Погрешность угла поворота наборного элемента
в диапазоне 0-90°, не более |
0.015° | | Производительность экспонирования с шагом расположения элементов топологии до 50 мкм, не менее, экспозиций/час |
1.7 млн. | | Погрешность совмещения, мкм | 0.18 | | Дискретность задания положения элемента, мкм | 0.01 | | Дискретность задания размера элемента, мкм | 0.02 | | Дискретность задания поворота | 0.025º | | Масштаб проекционного уменьшения объектива | 1:80 | | Длина волны экспонирующего импульсного лазера, нм | 337 |
|
Планар (КБТЭМ)
